Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6718L2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric L6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6718L2
IRF6718L2TR1PBF Hakkında
IRF6718L2TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. DirectFET™ paketlemesi ile kompakt tasarıma sahip bu bileşen, 25V drain-source gerilimi ve 61A (Ta) / 270A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesiyle çalışır. 0.7mOhm (10V, 61A) on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. 4.3W (Ta) / 83W (Tc) güç saçılması kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motorlar kontrol sistemlerinde kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 96nC gate charge karakteristikleri hızlı anahtarlama için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 61A (Ta), 270A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric L6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 4.3W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.7mOhm @ 61A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET L6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok