Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6712STR1PBF
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric SQ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6712
IRF6712STR1PBF Hakkında
IRF6712STR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajına ve 17A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, DirectFET™ Isometric SQ paket türünde sunulmaktadır. Düşük on-state direnci (RDS(on)) 4.9mΩ @ 17A, 10V ile verimli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Gate charge değeri 18nC @ 4.5V olup, hızlı komutasyon gerektiren devrelerde kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Güç kaynakları, motorlu uygulamalar, DC-DC dönüştürücüler ve akım yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılan bu MOSFET, surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonuna uygundur. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 68A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SQ |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SQ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok