Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6711STRPBF

MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT

Seri / Aile Numarası
IRF6711

IRF6711STRPBF Hakkında

IRF6711STRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. DirectFET™ Isometric SQ paket tipinde sunulan bu bileşen, 25V Drain-Source gerilimi ve 19A (Ta) / 84A (Tc) sürekli drain akımı özellikleriyle düşük RDS(on) direnci (3.8mΩ @ 19A, 10V) sağlar. ±20V maksimum Gate-Source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar. 2.2W (Ta) / 42W (Tc) güç yayma kapasitesiyle yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Düşük gate charge (20nC @ 4.5V) ve düşük input capacitance (1810pF @ 13V) sayesinde hızlı komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta), 84A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1810 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric SQ
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package DirectFET™ Isometric SQ
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok