Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6711STR1PBF
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric SQ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6711
IRF6711STR1PBF Hakkında
IRF6711STR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 19A sürekli dren akımı kapasitesiyle, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ paket teknolojisi ile düşük Rds(on) değeri (3.8mOhm @ 19A, 10V) sağlayarak enerji verimliliğini artırır. -40°C ile 150°C arasında çalışan cihazlarda, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Surface mount montajı ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 84A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1810 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SQ |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SQ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok