Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6710S2TRPBF
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric S1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6710S2
IRF6710S2TRPBF Hakkında
IRF6710S2TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilim ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DirectFET™ Isometric S1 paket tipi ile yüzey montajlı uygulamalar için uygundur. 5.9mΩ on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılabilir. Motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, aydınlatma kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yer alabilir. Düşük gate charge (13nC) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric S1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric S1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok