Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6710S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric S1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6710S2
IRF6710S2TR1PBF Hakkında
IRF6710S2TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. DirectFET™ Isometric S1 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 25V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımında çalışabilir. 5.9mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında geniş bir sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük gate charge sayesinde verimli devre tasarımı mümkün kılmaktadır. DIRECTFET paket teknolojisi sayesinde kompakt PCB tasarımı ve iyileştirilmiş ısı dağıtımı avantajı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric S1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric S1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok