Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6709S2TRPBF
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric S1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6709
IRF6709S2TRPBF Hakkında
IRF6709S2TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ Isometric S1 paket teknolojisi sayesinde kompakt tasarımlar için uygundur. 7.8mΩ maximum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve portable elektronik cihazlarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Komponentin production status'u obsolete olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric S1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 21W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric S1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok