Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6709S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric S1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6709
IRF6709S2TR1PBF Hakkında
IRF6709S2TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. DirectFET Isometric S1 paketinde sunulan bu komponent, 25V drain-source voltajında 12A sürekli drenaj akımı sağlamaktadır. 7.8mOhm (10V, 12A'de) RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Gate charge değeri 12nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücü uygulamalarında ve anahtarlamalı güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. DirectFET teknolojisi sayesinde kompakt PCB tasarımı ve geliştirilmiş termal yönetimi sağlar. Not: Bu ürün üretime sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric S1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 21W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric S1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok