Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6708S2TRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric S1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6708
IRF6708S2TRPBF Hakkında
IRF6708S2TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. DirectFET™ Isometric S1 paketinde sunulan bu bileşen, 30V dren-kaynak gerilimi ve 13A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8.9mΩ maksimum açık durum direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate yükü 10nC @ 4.5V olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum 2.5W (Ta) / 20W (Tc) güç tüketimi. DirectFET paketlemesi, düşük profilli PCB tasarımları için avantaj sağlar. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric S1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric S1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok