Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6708S2TR1PBF
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric S1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6708
IRF6708S2TR1PBF Hakkında
IRF6708S2TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. DirectFET™ Isometric S1 paketinde sunulan bu bileşen, düşük 8.9mΩ on-state direnci (RDS(on)) ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 4.5V ve 10V gate sürme geriliminde optimize edilmiş yapısı, modern elektronik sistemlerde kompakt ve verimli çözümler sunar. Ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric S1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric S1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok