Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6706S2TRPBF
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric S1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6706S2
IRF6706S2TRPBF Hakkında
IRF6706S2TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. DirectFET™ Isometric S1 paketinde sunulan bu bileşen, 25V drain-source voltajı ve 17A sürekli drenaj akımı ile çalışır. 3.8mOhm RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Düşük kapasitans değerleri (1810 pF @ 13V) ve 20nC gate charge özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Yüksek güç yoğunluğu ve kompakt tasarımı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur. Bileşen şu anda üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1810 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric S1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric S1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok