Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6706S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric S1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6706S2TR1
IRF6706S2TR1PBF Hakkında
IRF6706S2TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. DirectFET™ Isometric S1 paketinde sunulan bu komponent, 25V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı özellikleriyle tasarlanmıştır. 3.8mΩ maksimum Rds(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve hızlı anahtarlama özellikleriyle güç dönüşüm uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve anahtarlamalı güç kaynaklarında kullanılır. 20nC gate charge ile verimli sürüş karakteristiği sunar. NOT: Bu ürün kullanımdan kaldırılmış (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1810 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric S1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric S1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok