Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6691TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MT
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6691
IRF6691TR1PBF Hakkında
IRF6691TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 32A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. DirectFET MT paket tipinde surface mount olarak tasarlanmıştır. Düşük gate charge (71 nC) ve 1.8mΩ RDS(on) değeri ile anahtarlama hızı yüksek ve enerji kaybı düşük uygulamalara uygundur. Dc-dc dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Bileşen şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6580 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MT |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok