Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6691TR1
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MT
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6691
IRF6691TR1 Hakkında
IRF6691TR1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistöründür. DirectFET™ Isometric MT paket teknolojisinde sunulan bu bileşen, 20V drenaj-kaynak gerilimi ve 32A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 1.8mOhm maksimum RDS(ON) değeri düşük geçiş kayıpları sağlar. ±12V maksimum gate gerilimi aralığında çalışabilen bileşen, -40°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığında kullanılabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, enerji dönüşüm devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Yüksek akım yoğunluğu gerektiren düşük voltaj sistemlerinde etkilidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6580 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MT |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok