Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6678TR1PBF
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MX
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6678
IRF6678TR1PBF Hakkında
IRF6678TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 30A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, DirectFET™ MX paket formatında Surface Mount olarak sunulmaktadır. 2.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli operasyon yapabilir. Gate charge değeri 65nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Power management, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. Maksimum 89W güç dağıtım kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5640 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MX |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MX |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok