Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6674TR1PBF

MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF6674

IRF6674TR1PBF Hakkında

IRF6674TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 13.4A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. DirectFET™ MZ paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (11mΩ @ 13.4A, 10V) sayesinde güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama işlemlerinde verimli çalışır. -40°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor sürücüleri, anahtarlı güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve benzer yüksek akım anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 36nC gate charge ve 1350pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Not: Bu ürün yaşam döngüsünü tamamlamış (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.4A (Ta), 67A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MZ
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 13.4A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MZ
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok