Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6668TRPBF

MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ

Seri / Aile Numarası
IRF6668

IRF6668TRPBF Hakkında

IRF6668TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 55A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ MZ paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (15mOhm @ 12A, 10V) ile verimli enerji dağılımı sağlar. Gate charge karakteristiği (31nC @ 10V) hızlı anahtarlama operasyonlarına olanak tanır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-40°C ~ 150°C) stabilite sunar. DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yük anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount teknolojisi ile modern PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MZ
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MZ
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok