Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6665TRPBF
IRF6665 - 12V-300V N-CHANNEL POW
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6665
IRF6665TRPBF Hakkında
IRF6665TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 100V N-channel güç MOSFET transistörüdür. DirectFET™ Isometric SH paket tipi ile sağlanan bu bileşen, 4.2A sürekli dren akımı (Ta) ve 19A (Tc) kapasitesine sahiptir. 62mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, yüksek frekanslı DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. Surface mount montajı için optimize edilmiş tasarım, kompakt elektronik tasarımları destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok