Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6665TR1
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6665
IRF6665TR1 Hakkında
IRF6665TR1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ile 4.2A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, DirectFET™ Isometric SH paketinde sunulmaktadır. 62mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ve 13nC gate charge karakteristiği sayesinde verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri gibi endüstri uygulamalarında kullanılır. Surface Mount montaj tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SH |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok