Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6662TRPBF
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MZ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6662
IRF6662TRPBF Hakkında
IRF6662TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 100V N-Channel Power MOSFET transistörüdür. DirectFET™ MZ paketinde sunulan bu bileşen, 8.3A sürekli drenaj akımı (Ta) ile çalışmakta olup, maksimum 47A'ye kadar akım taşıyabilir. ±20V gate voltajı aralığında çalışan cihaz, 22mOhm maksimum Rds(on) değeriyle düşük kayıp uygulamaları destekler. -40°C ile 150°C arasında geniş sıcaklık aralığında işletilmesi mümkündür. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılan bu MOSFET, Surface Mount montajı ile PCB entegrasyonu kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Ta), 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MZ |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 8.2A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MZ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok