Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6662TRPBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MZ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6662
IRF6662TRPBF Hakkında
IRF6662TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 8.3A sürekli drain akımı (Id) ile tasarlanmıştır. DirectFET™ MZ paket teknolojisi kullanarak kompakt bir form faktörü sağlar. 22mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı ve verimli güç yönetimi sunar. Gate charge 31nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilmesi geniş uygulama yelpazesine imkan tanır. Güç kaynağı devreleri, motor kontrolü, güç dağıtım modülleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. DirectFET paket yapısı termal performansı iyileştirerek maksimum 89W güç dağıtımına olanak sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Ta), 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MZ |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 8.2A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MZ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok