Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6662TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MZ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6662
IRF6662TR1PBF Hakkında
IRF6662TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 8.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. DirectFET™ MZ paketlemesi ile kompakt uygulamalara uygun boyutlandırılmıştır. 22mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kayıpları sağlar. Güç kaynakları, motor sürücüleri, switch mode güç kaynakları ve enerji yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate threshold voltajı 4.9V@100µA, maksimum gate voltajı ±20V'dur. Surface mount montaj tipine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Ta), 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MZ |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 8.2A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MZ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok