Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6655TRPBF
100V 19A DIRECTFET-MV
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6655
IRF6655TRPBF Hakkında
IRF6655TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 100V drain-source voltaj kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. DirectFET™ Isometric SH paketinde sunulan bu bileşen, 19A sürekli drenaj akımı (Tc'de) ve 62mOhm maksimum RDS(on) direnci ile düşük ısı kaybı sağlar. Gate charge değeri 11.7nC ile hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve yüksek verimli anahtarlama devrelerinde kullanılır. Surface mount teknolojisi ile PCB üzerinde kompakt yerleşim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok