Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6655TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6655
IRF6655TR1PBF Hakkında
IRF6655TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim derecesi ve 4.2A sürekli drenaj akımı ile çalışır. DirectFET™ paketinde sunulan bu bileşen, düşük kapı yükü (11.7 nC) ve düşük on-state direnci (62 mOhm @ 5A, 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimliliği artırır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, güç dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlamaya dayalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. Bileşen Surface Mount montajı destekler ve maksimum 2.2W güç tüketebilir (ambient sıcaklıkta).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SH |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok