Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6645TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric SJ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6645
IRF6645TR1PBF Hakkında
IRF6645TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 5.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. DirectFET™ Isometric paketleme teknolojisi ile yüksek güç yoğunluğu ve düşük termal direnç sağlar. 35mΩ maksimum kanal direnci (RDS On) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 4.9V eşik gerilimi ile güvenli ve kontrollü şekilde çalıştırılabilir. -40°C ile 150°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SJ |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SJ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok