Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6643TR1PBF

MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF6643

IRF6643TR1PBF Hakkında

IRF6643TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source geriliminde 6.2A sürekli drenaj akımı sağlar. DirectFET™ MZ paket teknolojisi ile kompakt tasarım sunar. 34.5mΩ maksimum on-direnişi (RDS(On)) ile düşük güç kaybı karakteristiğine sahiptir. Gate şarjı 55nC ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, LED aydınlatma sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount montajı için tasarlanmış olup, 10V drive gerilimi ile işletilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2340 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MZ
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MZ
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok