Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6641TRPBF
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MZ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6641
IRF6641TRPBF Hakkında
IRF6641TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 4.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç seviyesindeki anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde yer alır. DirectFET™ MZ paketleme teknolojisi, düşük termal direnç ve kompakt form faktörü sağlar. 59.9mΩ (10V, 5.5A) on-state direnci sayesinde ısıl kayıplar minimize edilir. -40°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama ortamlarına uyum sağlar. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta), 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MZ |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59.9mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MZ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok