Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6641TR1PBF
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MZ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6641
IRF6641TR1PBF Hakkında
IRF6641TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 4.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. DirectFET™ MZ paket teknolojisi kullanarak yüksek güç yoğunluğu sağlar. 59.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. DirectFET paket formatı kompakt PCB tasarımı ve verimli ısıl yönetimi sağlar. Parça güncel olmayan (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta), 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MZ |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59.9mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MZ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok