Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6637TRPBF

IRF6637 - 12V-300V N-CHANNEL POW

Seri / Aile Numarası
IRF6637

IRF6637TRPBF Hakkında

IRF6637TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ile 14A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. DirectFET™ Isometric MP paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (17 nC @ 4.5V) ve 7.7mOhm maksimum RDS(on) değerleri ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yük anahtarlamada kullanılır. 2.3W (Ta) ve 42W (Tc) güç disipasyon kapasitesi ile kompakt devre tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1330 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MP
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok