Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6629TRPBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MX
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6629
IRF6629TRPBF Hakkında
IRF6629TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 29A (Ta) / 180A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DirectFET™ MX paket teknolojisi sayesinde düşük termal direnç ve kompakt boyut sağlar. 2.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği yüksektir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4260 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MX |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 29A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MX |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok