Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6629TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF6629

IRF6629TR1PBF Hakkında

IRF6629TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajında 29A (Ta) / 180A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. DirectFET™ MX paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (Rds On: 2.1mOhm @ 29A, 10V) ile yüksek akım uygulamalarında verimliliği artırır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarında, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 4.5V-10V drive voltajı ile logic seviyesi sürülmeye uygun tasarlanmıştır. Bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Ta), 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4260 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 29A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok