Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6626
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric ST
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6626
IRF6626 Hakkında
IRF6626, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 30V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı ile çalışır. DirectFET™ paketlemesi sayesinde düşük termal direnç ve kompakt tasarım sunar. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 72A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2380 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric ST |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ ST |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok