Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6623TRPBF
IRF6623 - 12V-300V N-CHANNEL POW
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric ST
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6623
IRF6623TRPBF Hakkında
IRF6623TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ ST paket tipinde sunulan bileşen, düşük 5.7mOhm RDS(on) değeri sayesinde enerji verimliliği sağlar. Gate charge değeri 17nC ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, DC-DC konvertörler, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Yüksek entegrasyon için SMD (Surface Mount Device) montajını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1360 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric ST |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ ST |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok