Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6621TRPBF
30V SINGLE N-CHANNEL HEXFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric SQ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6621
IRF6621TRPBF Hakkında
IRF6621TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 30V tek kanallı N-Channel MOSFET transistördür. DirectFET™ Isometric SQ paket tasarımıyla yüksek yoğunluk ve verimli ısı dağılımı sağlar. 12A (Ta) ve 55A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, 9.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sunar. Geniş sıcaklık aralığında (-40°C ~ 150°C) stabil çalışır. Gate charge karakteristiği ve düşük input kapasitanası hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetim devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1460 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SQ |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SQ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok