Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6621TR1
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric SQ
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6621
IRF6621TR1 Hakkında
IRF6621TR1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. DirectFET™ SQ paket tipiyle SMD uygulamalarına entegre edilebilir. 9.1mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 2.2W (Ta) güç tüketimi ile termal yönetimi etkindir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1460 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SQ |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SQ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok