Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6620TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MX
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6620
IRF6620TR1PBF Hakkında
IRF6620TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. DirectFET™ MX paket teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 27A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 2.7mΩ on-resistance (RDS(On)) değeri ile düşük güç kaybında çalışır. Gate charge 42nC, threshold voltajı 2.45V'dir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile çalışabilen bu MOSFET, güç dönüşüm devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol uygulamalarında ve anahtarlama sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Surface mount montajı ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyumludur. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4130 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MX |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 27A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MX |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok