Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6620TR1

MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF6620

IRF6620TR1 Hakkında

IRF6620TR1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 27A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. DirectFET™ MX paket türünde sunulan bu bileşen, 2.7mΩ maximum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Gate charge karakteristiği 42nC ve input capacitance 4130pF olup, anahtarlama uygulamalarında verimli performans gösterir. Düşük voltaj DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Surface mount montajı için uygun olup, maksimum 89W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Üretim durumu: Üretilmiyor (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta), 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4130 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 27A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok