Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6619TR1
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MX
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6619
IRF6619TR1 Hakkında
IRF6619TR1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. DirectFET™ MX paket tipi kullanılarak küçük boyut ve düşük termal direnç sağlanmıştır. 2.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sunar. Güç yönetimi devrelerine, DC-DC konvertörlere, motor sürücülerine ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama yelpazesi destekler. Yüksek güç yoğunluğu uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5040 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MX |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MX |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok