Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6619

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF6619

IRF6619 Hakkında

IRF6619, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektoniği uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ MX paket teknolojisi sayesinde düşük termal direnç ve kompakt tasarım sunar. 2.2mΩ maksimum Ron (10V, 30A) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç dağıtım modülleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli operasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta), 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5040 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok