Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6618TRPBF
IRF6618 - DIRECTFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MT
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6618
IRF6618TRPBF Hakkında
IRF6618TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. DirectFET™ Isometric MT paket teknolojisi ile tasarlanmış olup, 30V drain-source gerilim aralığında çalışır. 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (2.2mΩ @ 30A, 10V) ile enerji verimliliği sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 65nC (@ 4.5V) ve input kapasitansi 5640pF (@ 15V) olarak belirtilmiştir. Power MOSFET uygulamalarında, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur. Surface mount montaj türü ile modern PCB tasarımlarına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 170A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5640 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MT |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok