Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6618TR1PBF

MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF6618

IRF6618TR1PBF Hakkında

IRF6618TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ MT paket tipi ile düşük termal direnç sağlar. 2.2mΩ (10V, 30A şartlarında) RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ~ 150°C) ve düşük gate charge karakteristiği hızlı komütasyon sağlar. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde yaygın olarak kullanılır. Not: Bu bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta), 170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5640 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MT
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MT
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok