Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6617TRPBF
IRF6617 - 12V-300V N-CHANNEL POW
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric ST
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6617
IRF6617TRPBF Hakkında
IRF6617TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 8.1mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. DirectFET™ ST paket türü ile kompakt yüzey montajı uygulamalarına uygundur. Gate eşik gerilimi 2.35V olup, ±20V maksimum gate gerilimini tolere eder. -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric ST |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ ST |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok