Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6617TR1PBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric ST
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6617
IRF6617TR1PBF Hakkında
IRF6617TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 14A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ Isometric ST paketlemesiyle kompakt tasarımlara uygun olup, düşük 8.1mΩ on-state direnci ile ısı kayıplarını minimuma indirir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 42W güç dağıtabilir. Gate kapasitesi 1300pF, gate yükü 17nC olup hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Yüksek entegrasyonlu DC-DC dönüştürücüler, batarya yönetimi sistemleri ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric ST |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ ST |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok