Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6616TRPBF
IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MX
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6616
IRF6616TRPBF Hakkında
IRF6616TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 106A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ Isometric MX paket teknolojisi ile kompakt tasarım sağlar. 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kondüktans kaybı sunar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 89W güç disipasyonuna kadir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve şarj yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 106A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3765 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MX |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MX |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok