Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6616TR1

MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF6616

IRF6616TR1 Hakkında

IRF6616TR1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. DirectFET™ MX paket teknolojisi kullanılarak minimum RDS(on) değeri 5mΩ'a (10V, 19A koşullarında) indirilmiştir. Düşük gate charge (44nC @ 4.5V) sayesinde sürü devreleri için uygun tasarım özellikleri sunar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürme, motorlu uygulamalar, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. Surface mount paket türü ile kompakt PCB tasarımlarına olanak tanır. Bileşen üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta), 106A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3765 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok