Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6614TRPBF
IRF6614 - 12V-300V N-CHANNEL POW
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric ST
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6614
IRF6614TRPBF Hakkında
IRF6614TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. DirectFET™ Isometric ST yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, 40V Drain-Source gerilimi ve 12.7A sürekli dren akımı özellikleriyle güç yönetimi ve switching uygulamalarında kullanılır. 8.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, LED sürücüleri, AC/DC adaptörleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde yer alır. 2.25V eşik gerilimi hızlı anahtarlama özelliğini mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.7A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2560 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric ST |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 12.7A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ ST |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok