Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6614TR1PBF
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric ST
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6614
IRF6614TR1PBF Hakkında
IRF6614TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 12.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. DirectFET™ Isometric ST paket tipi ile yüksek entegrasyon yoğunluğu sağlar. 8.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. -40°C ile 150°C arasında çalışır. Güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri gibi düşük voltaj güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 29nC gate charge ve 2560pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansını destekler. Surface mount teknolojisi ile otomatik üretim ve kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.7A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2560 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric ST |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 12.7A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ ST |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok