Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6612TR1PBF

MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF6612

IRF6612TR1PBF Hakkında

IRF6612TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj (Vdss) ile 24A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. DirectFET™ Isometric MX paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (Rds On) ile 3.3mΩ @ 24A, 10V değerinde çalışır. Güç yönetimi, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve doğru akım dönüştürücüler gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-40°C ~ 150°C) ve yüksek gate charge değeri (45nC @ 4.5V) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Surface mount montajına uygun olup, düşük termal direnci sayesinde etkin ısı dağıtımı yapılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Ta), 136A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3970 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 24A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok