Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6612TR1
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric MX
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6612
IRF6612TR1 Hakkında
IRF6612TR1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 24A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. DirectFET™ MX paketinde sunulan bu bileşen, 3.3mΩ on-resistance (Rds On @ 10V) ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Gate charge (Qg) 45nC ve input capacitance (Ciss) 3970pF'dir. Güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve anahtarlama devrelerde kullanılır. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren uygulamalar için uygundur. Surface mount tipi paketlemesi PCB tasarımında esneklik sağlar. Not: Bu bileşen piyasada kullanım dışı (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 136A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3970 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MX |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MX |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok