Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6611TR1PBF

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF6611

IRF6611TR1PBF Hakkında

IRF6611TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 32A sürekli akım kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ MX paket tipi ile yüksek güç yoğunluğu gerektiren devrelerde montaj için optimize edilmiştir. 2.6mOhm (10V, 27A koşullarında) düşük kanal direnci, anahtarlama hızını ve verimini artırır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ~ 150°C) ile endüstriyel uygulamalar, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi alanlarda tercih edilir. Surface mount yapısı ile kompakt PCB tasarımlarına uygunluk sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Ta), 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4860 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.9W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 27A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok